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ISSN 2095-784XCN 36-1205/TS
陶瓷学报

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景德镇陶瓷大学主办

2009年30卷02期

陶瓷学报

36
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本期目录共 36 篇文章

2

ZrB-SiC复相陶瓷的制备及其力学性能研究

刘维良, 谭金刚, 阚艳梅

以ZrB2和SiC粉为原料,采用Si3N4球为球磨介质,通过热压烧结制备了ZrB2-SiC复相陶瓷。并对ZrB2-SiC复相陶瓷进行了相对密度、力学性能检测和微观结构分析。结果表明:随着ZrB2球磨时间和SiC含量的增加,该复相陶瓷相对密度先增加后略有降低,ZrB2最佳球磨时间为8小时,SiC最佳含量为20vol.%。ZrB2+20vol.%SiC复相陶瓷的相对密度达到98.3%,抗弯强度达到631±4MPa,断裂韧性达到5.4±0.2MPa·m1/2。随着球磨时间的增加,ZrB2+20vol.%SiC复相陶瓷的断裂方式由穿晶断裂向沿晶断裂转变。

7页码:134-137DOI:
ZrB2-SiC致密化力学性能
3

ZrO2对Al2O3-Mo金属陶瓷抗折强度的影响

刘永锋, 刘开琪

采用粉末冶金工艺制备出Al2O3-Mo金属陶瓷,并结合显微结构及能谱分析研究了ZrO2的添加对Al2O3-Mo金属陶瓷抗折强度的影响。结果表明:ZrO2对Al2O3-Mo金属陶瓷的抗折强度影响明显,添加2vol%ZrO2可使强度提高50%,添加10vol%ZrO2可实现金属陶瓷的抗折强度提高1倍;ZrO2主要通过相变增韧和微裂纹增韧基体Al2O3来实现对金属陶瓷的增韧。

1页码:138-141DOI:
ZrO2Al2O3-Mo金属陶瓷抗折强度增韧
4

ZrO对AlO-Mo金属陶瓷抗折强度的影响

刘永锋, 刘开琪

采用粉末冶金工艺制备出Al2O3-Mo金属陶瓷,并结合显微结构及能谱分析研究了ZrO2的添加对Al2O3-Mo金属陶瓷抗折强度的影响。结果表明:ZrO2对Al2O3-Mo金属陶瓷的抗折强度影响明显,添加2vol%ZrO2可使强度提高50%,添加10vol%ZrO2可实现金属陶瓷的抗折强度提高1倍;ZrO2主要通过相变增韧和微裂纹增韧基体Al2O3来实现对金属陶瓷的增韧。

0页码:138-141DOI:
ZrO2Al2O3-Mo金属陶瓷抗折强度增韧
5

工艺因素对Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]O3+δ陶瓷微波介电性能的影响附视频

熊钢, 周东祥, 李忠明

研究了制备工艺对Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]O3+δ(CLNZ)陶瓷的微观结构及微波介电特性的影响。研究表明,煅烧温度对晶粒形貌有明显影响,随煅烧温度的增加,气孔率减小,但超过900℃后又增加。当煅烧温度为900℃,在1150℃、4h烧结,陶瓷微波介电性能最佳:εr=31.6,Qf=13100GHz,τf=-9.4ppm/℃.

0页码:142-145DOI:
CLNZ陶瓷工艺因素微波介电特性
6

工艺因素对Ca[(LiNb)Zr]O陶瓷微波介电性能的影响

熊钢, 周东祥, 李忠明

研究了制备工艺对Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]O3+δ(CLNZ)陶瓷的微观结构及微波介电特性的影响。研究表明,煅烧温度对晶粒形貌有明显影响,随煅烧温度的增加,气孔率减小,但超过900℃后又增加。当煅烧温度为900℃,在1150℃、4h烧结,陶瓷微波介电性能最佳:εr=31.6,Qf=13100GHz,τf=-9.4ppm/℃.

0页码:142-145DOI:
CLNZ陶瓷工艺因素微波介电特性
7

RB SiC陶瓷的表面改性

唐惠东, 谭寿洪

为了改善RBSiC陶瓷反射率较低的情况,利用RF磁控溅射法在RBSiC基底表面涂覆一层结构致密的PVDSiC涂层。采用XRD表征了PVDSiC涂层的晶化程度。利用AFM和表面轮廓仪观察了RBSiC基底和PVDSiC涂层抛光后的表面形貌和表面粗糙度,并在可见光和红外波段测量了反射率。结果表明,当采用PVDSiC涂层对RBSiC基底表面改性后,抛光后其表面缺陷明显减少,表面粗糙度Ra为0.809nm,反射率提高约为2%,最高可达99.2%,改性效果明显。PVDSiC涂层有望在可见光和红外波段获得实际应用。

3页码:146-150DOI:
RBSiCPVDSiC涂层表面粗糙度散射损耗反射率
8

(Na1-xKx)0.5Bi0.5TiO3-xSrTiO3-0.3Mn陶瓷的性能研究

李龙珠, 江向平

采用固相法制备了(Na1-xKx)0.5Bi0.5TiO3-xSrTiO3-0.3Mn系无铅压电陶瓷,研究了该系统的压电性能。XRD分析表明所得陶瓷样品在室温下均为三方、四方共存的钙钛矿结构,随着Sr的增加三方相减少四方相增加。该体系样品具有优异的压电性能,在Sr含量为0.02时,压电常数d33、平面机电耦合系数kp和厚度机电耦合系数kt同时达到最大值,分别为171pC·N-1、33.1%和30.5%,Sr具有"软性"添加物的作用。

1页码:151-154DOI:
(Na0.8K0.2)0.5Bi0.5TiO3SrTiO3无铅压电陶瓷压电性能铁电性能
9

(NaK)BiTiOSrTiO-0.3Mn陶瓷的性能研究

李龙珠, 江向平

采用固相法制备了(Na1-xKx)0.5Bi0.5TiO3-xSrTiO3-0.3Mn系无铅压电陶瓷,研究了该系统的压电性能。XRD分析表明所得陶瓷样品在室温下均为三方、四方共存的钙钛矿结构,随着Sr的增加三方相减少四方相增加。该体系样品具有优异的压电性能,在Sr含量为0.02时,压电常数d33、平面机电耦合系数kp和厚度机电耦合系数kt同时达到最大值,分别为171pC·N-1、33.1%和30.5%,Sr具有"软性"添加物的作用。

0页码:151-154DOI:
(Na0.8K0.2)0.5Bi0.5TiO3SrTiO3无铅压电陶瓷压电性能铁电性能
10

电热爆炸超高速喷涂原位合成碳化钼陶瓷涂层的实验研究

李斌, 刘宗德

利用电热爆炸超高速喷涂技术在45#钢基体上原位合成碳化钼陶瓷涂层试样,利用X衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)和显微硬度计对涂层的成分、显微组织和显微硬度进行了分析。结果显示涂层组织致密,空隙率低,没有分层现象,涂层和基体之间形成了冶金结合。XRD显示涂层中主要是原位合成的Mo2C、MoC和Mo相,没有氧化物的生成。涂层中形成的碳化钼陶瓷相,具有弥散强化的作用,提高了涂层的硬度。

7页码:155-159DOI:
电热爆炸超高速喷涂碳化钼陶瓷显微组织显微硬度
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