欢迎访问《陶瓷学报》官方网站
ISSN 2095-784XCN 36-1205/TS
陶瓷学报

陶瓷学报

JOURNAL PORTAL

景德镇陶瓷大学主办

当前位置：首页过刊浏览2005年 / 04期VXG掺杂PPy材料的电化学性能研究

VXG掺杂PPy材料的电化学性能研究

朱泉峣[1]
靳艾平[1]
陈文[1]
Victor Volkov[2]
Galina Zakharova[2]

[1] 武汉理工大学材料科学与工程学院

[2] 俄罗斯科学院乌拉尔分院固态化学研究所

陶瓷学报 2005年 / 04期211-215
0 次引用

摘要

将吡咯衍生物单体(碘化N,N,N-三甲基-(2-吡咯-1-乙基))进行氧化聚合,合成水溶性聚吡咯衍生物,将该产物与V2O5溶胶混合,进行聚合物溶液插层反应,合成聚(N,N,N-三甲基-(2-吡咯-1-乙基))(PTPAI)/VXG复合薄膜。采用电化学阻抗谱(EIS)和循环伏安(CV)对其电学性能进行了测试。结果表明:该复合薄膜的等效电路为R1(Q1[R2W1]),Rs=160.215Ω,Rct=6278.86Ω,双电层电容CPE=1.73216×10-4F,离子迁移系数4.37×10-12cm2/s(-0.5V)。PTPAI提高了VXG的氧化还原电位,且出现另一个较小的氧化还原峰电位。

关键词

VXGPPY衍生物电性能交流阻抗谱循环伏安

参考文献

共0条
正在加载参考文献...

版权声明

本文版权归编辑部所有。未经书面授权，不得转载、摘编或利用其他方式使用本文内容。