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ISSN 2095-784XCN 36-1205/TS
陶瓷学报
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景德镇陶瓷大学主办
铜离子注入(Ba1-xSrx)TiO3半导体陶瓷的交流阻抗特性
王国梅
徐晓虹
吴建锋
杜慧玲
勾焕林
[1] 武汉工业大学材料学院!,武汉工业大学材料学院,武汉工业大学材料学院,武汉工业大学材料学院,清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
陶瓷学报 1997年 / 02期78-85
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摘要
本文测量了铜离子注入（Ba(1－x)Srx）TiO3半导体陶瓷样品在25～180℃，10Hz～13MHz之间的交流阻抗。根据等效电路模型与阻抗谱的变化，分析了注入样品的晶粒电阻、晶界电阻及其对温度的依从位以及样品的PTCR特性。研究表明，注入剂量为6×1015ions／cm2时，可以提高材料的PTCR效应。此外，辅以XPS和阻温特性测量分析注入铜离子的状态及样品的PTCR特性。
关键词
(Ba，Sr)TiO3半导瓷离子注入阻抗谱
参考文献
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