摘要

目的:观察电针神庭、百会对局灶性脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力的影响,探讨其可能的作用机制。方法:将SPF级雄性大鼠45只随机分为假手术组、模型组和电针组,每组各15只;模型组和电针组均用改良的线栓法建立大鼠左侧大脑中动脉局灶性缺血(MCAO)再灌注模型;电针组大鼠予以电针神庭、百会,共7d。用Morris水迷宫检测大鼠的学习记忆能力,小动物MRI、TTC染色检测脑梗体积,透射电镜观察大鼠脑超微结构的变化。结果:与模型组比较,电针组可以明显改善MCAO大鼠找到平台的时间和减少错误率,并能减小大鼠脑梗死体积,差异具有显著性(P<0.05);电针组大鼠脑线粒体、核膜等超微结构改善明显。结论:电针神庭、百会能够减小脑梗死体积,改善脑的超微结构,改善MCAO大鼠的学习记忆能力。

关键词