摘要

目的:探讨电针百会穴对APP/PS1转基因小鼠空间学习记忆能力及氢质子磁共振波谱(1H-MRS)的影响。方法:雄性APP/PS1转基因小鼠及雌性阴性小鼠育种后代,经PCR鉴定后将育种后代中15只转基因小鼠根据随机数字表分为模型组7只和电针组8只,8只同窝阴性小鼠作为正常组。电针百会穴干预4周,正常组及模型组同等条件抓取。Morris水迷宫观察小鼠空间学习记忆能力,1H-MRS检测小鼠脑内海马区N-乙酰天门冬氨酸(NAA)、谷氨酸(Glu)水平。结果:Morris水迷宫试验显示,电针组小鼠逃避潜伏期较模型组显著缩短(P<0.05),穿越平台次数增加(P<0.05);与模型组小鼠比较,电针组小鼠海马区NAA、Glu水平均较高,差异具有统计学意义(P<0.05)。结论:电针百会穴可改善APP/PS1转基因小鼠空间学习记忆能力,其作用机制可能与脑内海马区NAA、Glu含量增加有关。

关键词