近紫外LED抗EOS性能及优化策略的实验研究

针对近紫外LED抗电气过应力（EOS）能力低的问题，采用浪涌发生器搭建EOS测试平台，探索不同芯片尺寸、串不同大小的电阻、不同的电路拓扑等对抗EOS能力的影响。结果显示，与静电放电（ESD）主要是反向击穿不同，近紫外LED的EOS损伤主要是正向过流损伤，增大芯片尺寸、串联电阻分压、先并再串都可以提高LED对抗EOS的能力。根据测试结果，提出防护策略的基本原则，即大尺寸芯片（芯片边长≥36 mil）采用串联电阻防护，小尺寸芯片（芯片边长≤20 mil）器件有串并结合的先并联后串联，这样可提高抗EOS耐压50%以上。