白光LED用Bi2WO6:Eu3+的制备及发光性能研究

近紫外芯片和红绿蓝三基色荧光粉组装的白光发光二极管（NUV-WLED）能有效缓解"蓝光危害"和提升显色指数。采用高温固相法制备Bi2WO6:xEu3+（x=0.03～0.13）红色荧光粉，结果表明：Eu3+的掺杂没有改变基质晶体结构，样品为微米级颗粒。Bi2WO6:0.09Eu3+禁带宽度Eg=2.98 eV，样品主激发峰为296 nm，主发射峰为616nm（5D0→7F2），当x=0.09时，发光强度最大，x>0.09时，发生浓度猝灭，主要由于离子交换耦合作用导致。Bi2WO6:Eu3+荧光粉有望作为白光LED中红光缺失部分应用于照明及显示领域。