摘要

笔者以ZnO为定位结晶剂,采用单一变量法在不同的烧成制度下制备结晶釉,并结合析晶动力学对晶体的生长规律和结晶机理进行了研究。结果表明:将釉料粒度控制在120～150目可以有效减少残留晶核的产生;同时将烧成温度控制在1 180～1 220℃,保温温度控制在1 080～1 115℃范围内,既有利于定位晶花的生长,又将最大程度扼制釉面非预定位置晶花的出现。

关键词