摘要

硅片是半导体、太阳能等行业的基本材料,在硅片切割加工的废料中,含有大量的碳化硅、硅粉和铁屑。回收的碳化硅陶瓷材料,可用于硅片切割,也可用于制造半导体、功能陶瓷等。笔者以工厂提供的太阳能硅片切割废砂浆为原材料,对废砂浆进行分离提纯,对回收的碳化硅进行了X射线衍射、扫描电镜、粒度表征等分析。将酸浸除铁后的废砂在硝酸和氢氟酸作用下腐蚀硅,并检验了温度、混合酸比例、反应时间、液固比对实验的影响。通过正交实验确定最佳条件为40℃,液固比为3∶1,混合酸为硝酸:氢氟酸为5∶8,反应时间为1.5h,碳化硅的纯度为98%。

关键词