摘要

<正> 一、前言近年来,电子技术迅速发展,大规模、超大规模集成电路的高集成化,运算速度的高速化和电子器件的小型化等,致使电路工作过程产生较多的热量,要求基片材料具备优良的传热性能。传统的基片材料例如氧化铝,导热率仅为17～25W/M·K,其散热性能已远远不能满足需要,高导热基片满足上述微电子器件高散热性能要求,是一种