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陶瓷

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Ceramics

杂质对β-SiC非线性导电特性及防晕层起晕电压影响的研究

宁叔捷[1]
蒲永平[1]
陈寿田[2]
杨剑桥[1]
何俊峰[1]

[1] 陕西科技大学装备实验室

[2] 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室

陶瓷 2006年 / 10期20-23

摘要

研究了不同杂质及其含量对β-SiC非线性导电特性的影响,并提出了单独利用β-SiC作为电机线圈防电晕材料的新方法。β-SiC微粉合成过程中,向其中掺杂V、Al等金属离子,可有效调控β-SiC的非线性导电特性;β-SiC微粉表面吸附的Fe、Al、Mg、Ca、Ti、V等金属氧化物杂质,随其含量的提高,β-SiC电阻率下降;随表面胶态SiO2含量的提高,β-SiC微粉电阻率提高,非线性系数增大。通过调节β-SiC微粉表面SiO2含量,可有效调节其防晕涂层表面电阻率ρs和起晕电压,随着β-SiC微粉表面SiO2含量增加,防晕涂层表面电阻率ρs和起晕电压也随之提高。β-SiC完全可单独用作电机线圈的防电晕材料。

关键词

β-SiC电阻率非线性系数影响因素电晕材料

参考文献

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