摘要

<正> 众多的研究者业已制备了多晶氮、化硅,氮化晶须、无定形薄膜氮化硅,最近获得了板状单晶、六边棱柱体,α—Si3N4的生长特性取决于氧分压或生长温度而从六边形陵柱体的单晶变为那种形式的多晶体。图1表明在下列条件下以化学气相沉积法生长的棱柱状单晶。