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陶瓷

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Ceramics

二氧化铪（HfO2）薄膜制备的研究进展

谈国强[1]
贺中亮[1]
刘剑[1]
博海洋[1]
宋亚玉[1]
娄晶晶[2]
李锋娟[3]

[1] 陕西科技大学材料科学与工程学院

[2] 河南大学

[3] 陕西宝光集团股份有限公司

陶瓷 2009年 / 02期10-12
DOI：10.19397/j.cnki.ceramics.2009.02.002
10 次引用

摘要

随着集成电路的迅速发展,高K值柵介质材料将成为下一代MOS器件最具有希望的候选材料,HfO2具有宽带隙和高介电常数而备受关注。本文简述了HfO2薄膜的制备方法及研究进展。

关键词

HfO2薄膜研究进展

参考文献

共0条
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