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陶瓷

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Ceramics

Si3N4陶瓷导热性能的影响因素浅析及其其优化策略

张松竹[1,2]
刘一军[1,2]
聂光临[1,2]

[1] 蒙娜丽莎集团股份有限公司

[2] 广东省大尺寸陶瓷薄板企业重点实验室

陶瓷 2025年 / 12期34-37
DOI：10.19397/j.cnki.ceramics.2025.12.011
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摘要

氮化硅（Si3N4）陶瓷兼具优异的力学与导热性能，能够确保电子元器件的稳定散热和高可靠性服役，被认为是半导体绝缘基板的理想材料，在高功率电子封装领域极具应用前景。为进一步提升Si3N4陶瓷的导热性能，国内外学者展开了深入研究，近年来涌现出大量高质量的研究成果，可为后续开发高强韧高导热Si3N4陶瓷提供新思路。鉴于此，笔者重点分析了Si3N4陶瓷热导率的关键影响因素，在此基础上论述了Si3N4陶瓷导热性能的优化策略，并对Si3N4陶瓷基板发展趋势进行了展望。

关键词

氮化硅陶瓷热导率基板导热性能

参考文献

共0条
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