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ISSN 1674-4985CN 11-5784/R
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当前位置:首页过刊浏览2009年 / 6卷 / 20期灵芝对大鼠脑缺血再灌注后神经细胞凋亡率及线粒体跨膜电位的影响

灵芝对大鼠脑缺血再灌注后神经细胞凋亡率及线粒体跨膜电位的影响

王晓哲
李金国
王海英
张秋玲
白波

[1] 泰山医学院神经生物学实验室

中国医学创新 2009年 / 6卷 / 20期15-18
4 次引用

摘要

目的探讨灵芝对大鼠脑缺血再灌注后神经细胞凋亡率及线粒体跨膜电位的影响。方法采用线栓阻断大脑中动脉闭塞法(MCAO)建立大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤模型。动物随机分为假手术组(Sham)、脑缺血再灌注组(I/R)、灵芝组(GA);于再灌注后3 h、12 h、24 h、48 h处死动物取材,流式细胞仪检测脑细胞凋亡率和线粒体跨膜电位。结果 (1)IR组和GA组与sham组比较,脑细胞凋亡率明显增高(P<0.01);再灌注3 hGA组与IR组比较,脑细胞凋亡率没有明显差异(P>0.05);再灌注12 h、24 h、48 hGA组与IR组比较,脑细胞凋亡率降低,有明显差异(P<0.01)。(2)IR组脑细胞线粒体跨膜电位在再灌注3 h、12 h、48 h较sham组显著下降(P<0.05),其中3 h值最低,其后逐渐升高,至48 h又出现后续性降低;GA组细胞线粒体跨膜电位在再灌注3 h较sham显著下降(P<0.01);GA组线粒体跨膜电位在再灌注12 h、48 h较IR组显著升高(P<0.05)。结论急性局灶性脑缺血再灌注后大鼠脑细胞凋亡率升高,线粒体跨膜电位显著降低,灵芝具有降低凋亡发生率、改善脑组织细胞线粒体跨膜电位水平的作用。

关键词

灵芝脑缺血再灌注细胞凋亡率线粒体跨膜电位

参考文献

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