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ISSN 2095-784XCN 36-1205/TS
陶瓷学报
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景德镇陶瓷大学主办
AlN单晶性质与AlGaN外延生长研究附视频
付润定[1]
庄德津[2]
修向前[1]
谢自力[1]
陈鹏[1]
张荣[1]
郑有炓[1]
[1] 南京大学电子科学与工程学院
[2] 青岛铝镓光电半导体有限公司
陶瓷学报 2018年 / 06期690-695
3 次引用
摘要
对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征,研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等,结果表明该AlN单晶具有较高的晶体质量。用蓝宝石陪片辅助方法对AlN单晶进行了化学机械抛光,得到了厚度均匀、具有器件质量表面的AlN单晶片。利用MOCVD在AlN单晶片上外延了Al组分约为18.2%的AlGaN薄膜,其生长模式符合StranskiKrastanow模式。利用应变梯度模型解释了AlGaN外延层中应变状态和表面裂纹的形成机制。
关键词
AlN单晶化学机械抛光AlGaNStranski-Krastanow生长模式应变梯度模型
参考文献
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