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ISSN 2095-784XCN 36-1205/TS
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CVI+PIP复合工艺制备SiC_f/SiC复合材料的微观结构和水氧腐蚀行为研究附视频

陈婧[1]
吕熙睿[2]
张佳平[1]
王浩宇[2]
张洁[2]

[1] 中国航发沈阳黎明航空发动机有限责任公司

[2] 中国科学院金属研究所陶瓷及复合材料研究部

陶瓷学报 2022年 / 06期1030-1036
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摘要

采用化学气相渗透—前驱体浸渍裂解复合工艺制备了Si C_f/Si C复合材料,复合材料密度为2.5 g·cm-3,孔隙率为6%,表明复合工艺有效提高了复合材料的致密度。使用扫描电镜和透射电镜表征了复合材料的微观结构,Si C纤维由纳米级的Si C晶粒组成;热解碳界面相厚度约为300 nm,为层状结构,层片没有择优取向;CVI碳化硅基体纯度高、结晶度好;PIP碳化硅基体氧含量较高,为非晶相。在1300℃的水氧腐蚀环境下,由于水蒸气分压较高(90 vol.%)和气体流速较快(20 cm·s-1),试样表现出持续失重,反应100 h后,总失重达2.36 mg·cm-2。在水氧腐蚀的初始阶段,相比于PIP碳化硅基体,CVI碳化硅基体表现出了更好的耐水氧腐蚀性能。

关键词

SiCf/SiC复合材料化学气相渗透前驱体浸渍裂解显微结构水氧腐蚀

参考文献

共0条
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