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ISSN 2095-784XCN 36-1205/TS
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景德镇陶瓷大学主办

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不同硼源BN界面SiC_f/SiC复合材料的工艺性能研究

李楚星
余金山
王洪磊
周新贵

[1] 国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室

陶瓷学报 2022年 / 43卷 / 02期236-246
3 次引用

摘要

连续SiC纤维增强SiC基复合材料(SiC_f/SiC)具有强度高、模量高、耐高温、抗氧化等优良性能,是航空航天领域极具潜力的高温结构材料。界面相是SiC_f/SiC复合材料极其重要的组成部分,具有保护纤维、承受载荷、传递应力等功能,特别是BN界面可有效提高SiC_f/SiC复合材料的力学性能。采用硼吖嗪和BCl3两种硼源,先通过化学气相沉积(CVD)工艺分别制备了BN界面层;再通过化学气相渗透(CVI)工艺沉积碳制备了SiC_f/C复合材料中间体;最后,通过气相渗硅工艺(VSI)制备SiC_f/SiC复合材料。通过红外光谱、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、纳米压痕、纳米CT等手段研究了不同硼源制备BN界面的形貌、结构及其对复合材料性能的影响,探索了VSI工艺前后复合材料性能与结构的关系。所得SiC_f/SiC复合材料的弯曲强度最高为294.66MPa,其孔隙率为1.65%,断裂韧性为14.59 MPa·m1/2。

关键词

化学气相沉积BN界面气相渗硅SiC复合材料

参考文献

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