摘要

采用传统固相法制备WO3掺杂Bi4Ti3O12(Bi4Ti3-xWxO12,BITW,0.00≤x≤0.16)层状高温压电陶瓷,研究了W6+掺杂对Bi4Ti3O12（BIT）陶瓷晶体微观结构与电性能的影响。研究表明适量的W6+掺杂能使BIT陶瓷的晶粒尺寸细化且均匀,有效地提高了陶瓷的致密度,且WO3的引入降低了BIT陶瓷的电导率和介电损耗,提高了其压电与机电性能。当WO3掺杂量x=0.14时,陶瓷具有如下优异性能:压电常数d33=16 p C/N,平面机电耦合系数kp=8.1%,机械品质因数Qm=1942,介电常数εr=160（@100 k Hz）,介电损耗tanδ=0.16%（@100 k Hz）,居里温度Tc=632℃,在500℃下,电阻率ρ=9.4×10～7Ω·cm,表明BITW陶瓷在高温应用方面具有很大的前景。

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